Споживання енергії: 5.9 Вт
Швидкість запису: 3000 МБ/сек
Швидкість зчитування: 3500 МБ/сек
Контролер: немає даних
Форм-фактор: M.2 2280
Інтерфейс: PCI Express 3.0 x4
Об'єм жорсткого диска: 1 ТБ
Габарити: 80 х 22 х 2.3 мм
IOPS (читання/запис): 308 000/332 000
Тип пам'яті: 3D TLC
Час напрацювання на відмову: 2 млн годин

Производитель: GIGABYTE
Тип: SSD накопитель
Объем, ГБ: 120
Интерфейс: SATA rev. 3.0
Тип флеш-памяти NAND: NAND TLC
Контроллер: нет данных
Поддержка TRIM: есть
Серия: нет
Форм-фактор: 2,5
Размеры, мм: 100х69,85х7
Масса, г: нет данных
Максимальная скорость чтения, МБ/с: 500
Максимальная скорость записи, МБ/с: 380
Скорость случайного чтения блоками 4KB, IOPS: нет
Скорость случайной записи блоками 4KB, IOPS: нет
Ресурс записи (TBW), TB: нет
Среднее время безотказной работы (MTBF), млн. часов: 2
Стойкость к ударам: 1500G
Комплект поставки: нет

Производитель: GIGABYTE
Тип: SSD
Объем, ГБ: 128
Интерфейс: M.2 (PCI-E)
Тип флеш-памяти NAND: 3D TLC
Поддержка TRIM: есть
Серия: нет
Форм-фактор: M.2 (2280)
Размеры, мм: 80x22x2,3
Масса, г: 8
Максимальная скорость чтения, МБ/с: 1100
Максимальная скорость записи, МБ/с: 500
Скорость случайного чтения блоками 4KB, IOPS: 90000
Скорость случайной записи блоками 4KB, IOPS: 100000
Ресурс записи (TBW), TB: нет
Среднее время безотказной работы (MTBF), млн. часов: 2
Стойкость к ударам: 1500G
Комплект поставки: нет

Производитель: GIGABYTE
Модель: M.2 2280 512GB
Артикул: GP-ASM2NE2512GTTDR
Тип: внутренний
Объём памяти: 512 GB
Тип флеш-памяти: 3D TLC
Форм-фактор: M.2
Интерфейс: PCI-E 3.0 (x4)
Скорость чтения, макс.: 3480Mb/s
Скорость записи, макс.: 2000Mb/s
Наработка на отказ: 1.8 млн. часов
Страна производства: Тайвань

Производитель: GIGABYTE
Модель: PCI-Express 1TB
Артикул: GP-ASACNE2100TTTDR
Тип: внутренний
Объём памяти: 1 TB
Тип флеш-памяти: 3D TLC
Форм-фактор: PCI-Express
Интерфейс: PCI-E 3.0 (x4)
Скорость чтения, макс.: 3480Mb/s
Скорость записи, макс.: 3080 Mb/s
Энергопотребление: 6.2 Вт
Габариты: 175.5 х 70.8 х 13 мм
Страна производства: Тайвань

Производитель: GIGABYTE
Модель: PCI-Express 512GB
Артикул: GP-ASACNE2512GTTDR
Тип: внутренний
Объём памяти: 512 GB
Тип флеш-памяти: 3D TLC
Форм-фактор: PCI-Express
Интерфейс: PCI-E 3.0 (x4)
Скорость чтения, макс.: 3480 Mb/s
Скорость записи, макс.: 2100 Mb/s
Энергопотребление: 5.9 Вт
Габариты: 175.5 х 70.8 х 13 мм
Страна производства: Тайвань

Объём: 120 ГБ
Тип: внутренний
Форм-фактор: 2.5"
Интерфейс: SATA-3
Пропускная способность: SATA-3 (до 6 Гбит/с)
Тип флеш-памяти: TLC
Степень защиты корпуса: нет
Скорость чтения: 350 МБ/с
Скорость записи: 280 МБ/с
Макс. ресурс записи: 75 TBW
Потребление энергии (в работе): 2.61 Вт (запись); 2.24 Вт (запись); 0.17 Вт (в режиме ожидания)
Комплектация: накопитель SSD, руководство пользователя
Габариты: 69.85 x 100 x 7 мм
Вес: 41 г

Gigabyte SSD UD PRO 256GB 2.5 SATAIII 3D NAND TLC (GP-GSTFS30256GTTD) Флеш-память 3D NAND ведущего производителя Твердотельные накопители Gigabyte с...

С новым интерфейсным контроллером NVMe твердотельный накопитель Aorus RGB M.2 обеспечивает высокую скорость последовательного чтения до 3480 МБ/с и п...

Об'єм жорсткого диска: 128 ГБ
Форм-фактор: M.2 2280
Інтерфейс: PCI Express 3.0 x4
Швидкість зчитування: 1550 МБ/сек
Швидкість запису: 550 МБ/сек
Тип пам'яті: TLC
IOPS (читання/запис): 100 000/130 000
Час напрацювання на відмову: 1.5 млн годин
Контролер: немає даних
Споживання енергії: 2.2 Вт
Габарити: 80 х 22 х 2.3 мм

Тип: внутренний
Артикул: GP-GSTFS30256GTTD
Форм-фактор: 2.5"
Интерфейс: SATA 6Gb/s
Наработка на отказ: 1.8 млн. часов
Модель: 2.5" 256GB
Страна производства: Тайвань
Объём памяти: 256 GB
Скорость чтения, макс.: 530Mb/s
Скорость записи, макс.: 500Mb/s

Тип: внутренний
Артикул: GP-ASM2NE6100TTTD
Габариты: 80.5 x 23.5 x 11.4 мм
Форм-фактор: M.2
Интерфейс: PCI-E 4.0 (x4)
Тип флеш-памяти: 3D TLC NAND
Наработка на отказ: 1.77 млн. часов
Модель: M.2 2280 1TB
Страна производства: Тайвань
Объём памяти: 1 TB
Скорость чтения, макс.: 5000Mb/s
Скорость записи, макс.: 4400 Mb/s
Гарантия, мес: 60

Артикул: GP-GSM2NE3512GNTD
Модель: M.2 2280 512GB
Страна производства: Тайвань
Гарантия, мес: 36

Тип: внутренний
Артикул: GP-ASM2NE6500GTTD
Габариты: 80.5 x 23.5 x 11.4 мм
Форм-фактор: M.2
Интерфейс: PCI-E 4.0 (x4)
Тип флеш-памяти: 3D TLC NAND
Наработка на отказ: 1.77 млн. часов
Модель: M.2 2280 500GB
Страна производства: Тайвань
Объём памяти: 500 GB
Скорость чтения, макс.: 5000Mb/s
Скорость записи, макс.: 2500Mb/s
Гарантия, мес: 60

Тип: внутренний
Артикул: GP-GSM2NE3100TNTD
Габариты: 80 x 22 x 2.3 мм
Форм-фактор: M.2
Интерфейс: PCI-E 3.0 (x4)
Тип флеш-памяти: 3D TLC
Наработка на отказ: 1.5 млн.часов
Модель: M.2 2280 1TB
Страна производства: Тайвань
Объём памяти: 1 TB
Скорость чтения, макс.: 2500 Mb/s
Скорость записи, макс.: 2100 Mb/s
Гарантия, мес: 60

Цвет: черный
Тип: накладные
Артикул: GP-GSTFS31120GNTD
Дисплей: есть
Питание: через интерфейсный разъем
Чувствительность микрофона: -42 дБ ± 3 дБ
Частотный диапазон микрофона: 20 - 10 000 Гц
Форм-фактор: 2.5"
Интерфейс: Mini-jack 3,5 мм
Время зарядки: -
Емкость аккумулятора: -
Тип флеш-памяти: NAND
Наработка на отказ: 2 млн.часов
Частотный диапазон: 20 - 20 000 Гц
Модель: 2.5" 120GB
Страна производства: Тайвань
Вес: 250 г
Размеры: нет данных
Объём памяти: 120 GB
Скорость чтения, макс.: 350Mb/s
Скорость записи, макс.: 280Mb/s
Тип подключения: проводное
Количество аккумуляторов: -
Электрохимическая система заряжаемых аккумуляторов: Li-ion / Ni-Mh
Количество слотов АA (HR06): 4 шт
Количество слотов ААA (HR03): 4 шт
Количество слотов крона (6LF22): нет
Входное подключение ЗУ: сеть (220V)
Аккумуляторы в комплекте: нет
Типоразмер аккумуляторов: -
Количество слотов 18650 Li-ion: 1 шт
Количество слотов C (HR14): 1 шт
Количество слотов D (HR20): нет
Длина кабеля (м): 1 м + 1.5 м
Чувствительность (дБ): 110 дБ ± 3 дБ
Сопротивление наушников: 64 Ом
Конструкция микрофона: съемный
Время работы разговор/ожидание: -

Тип: внутренний
Артикул: GP-ASACNE2512GTTDR
Габариты: 175.5 х 70.8 х 13 мм
Форм-фактор: PCI-Express
Интерфейс: PCI-E 3.0 (x4)
Тип флеш-памяти: 3D TLC
Энергопотребление: 5.9 Вт
Модель: PCI-Express 512GB
Страна производства: Тайвань
Объём памяти: 512 GB
Скорость чтения, макс.: 3480Mb/s
Скорость записи, макс.: 2100Mb/s

Тип: внутренний
Артикул: GP-GSTFS31480GNTD
Форм-фактор: 2.5"
Интерфейс: SATA 6Gb/s
Тип флеш-памяти: NAND
Наработка на отказ: 2 млн.часов
Модель: 2.5" 480GB
Страна производства: Тайвань
Объём памяти: 480 GB
Скорость чтения, макс.: 550Mb/s
Скорость записи, макс.: 480Mb/s

Тип: внутренний
Артикул: GP-GSTFS31240GNTD
Форм-фактор: 2.5"
Интерфейс: SATA 6Gb/s
Тип флеш-памяти: NAND
Наработка на отказ: 2 млн.часов
Модель: 2.5" 240GB
Страна производства: Тайвань
Объём памяти: 240 GB
Скорость чтения, макс.: 500Mb/s
Скорость записи, макс.: 420Mb/s

Тип: внутренний
Емкость: 2000 ГБ
Интерфейс: PCIe Gen 3.0 x8
Тип NAND памяти: 3D TLC NAND
Внешняя скорость записи: 6000 Мб/сек
Внешняя скорость считывания: 6300 Мб/сек
Тип: внутренний
Емкость: 2000 ГБ
Форм фактор: PCI-E
Интерфейс: PCIe Gen 3.0 x8
Тип NAND памяти: 3D TLC NAND
Внешняя скорость записи: 6000 Мб/сек
Внешняя скорость считывания: 6300 Мб/сек
Буферная память: 512 МБ
Энергопотребление при простое: 7.5 Вт
Энергопотребление (типичное) при чтении: 19 Вт
Энергопотребление (типичное) при записи: 19 Вт
Ширина: 300 мм
Высота: 50 мм
Длина: 220 мм
Вес: 0.79 кг
Объем: 0.0033 м3

Производитель: GigaByte
Вес: 48 г

Производитель: GigaByte
Интерфейс: PCI Express 3.0 x4