Тип: внутренний
Артикул: SSDPEKKW256G801
Форм-фактор: M.2
Интерфейс: PCI-E 3.0 (x4)
Наработка на отказ: 1.6 млн.часов
Серия: SSD 760p
Модель: M.2 2280 256GB
Страна производства: США
Объём памяти: 256 GB
Скорость чтения, макс.: 3210 Mb/s
Скорость записи, макс.: 1315 Mb/s
Гарантия, мес: 60

Бренд: Intel
Аппаратное шифрование: Да AES 256 bit
Внешняя скорость записи: 1800 Мб/сек (в пределах)
Внешняя скорость считывания: 1800 Мб/сек /(в пределах)
Высота: 20 мм
Длина: 120 мм
Емкость: 1000 ГБ
Интерфейс: PCIe Gen 3.0 x4
Наработка на отказ: 1.6 млн. ч
Объем: 0.0004 м3
Рабочая температура: 0°C до 70°C
Скорость записи до: 220000 IOPS (участок 8 ГБ) (в пределах)
Скорость чтения до: 150000 IOPS (участок 8 ГБ) (в пределах)
Тип: внутренний
Тип NAND памяти: 3D QLC
Форм фактор: M.2 2280
Ширина: 160 мм
Энергопотребление (типичное) при записи: 0.1 Вт
Энергопотребление (типичное) при чтении: 0.1 Вт
Энергопотребление при простое: 0.04 Вт
ean: 5030000000000
exist: 1
avail: 1
warehouse1: 1
Вес: 0.11 кг
Страна-производитель товара: Китай
Страна регистрации бренда: Китай

Бренд: Intel
Аппаратное шифрование: Да AES 256 bit
Внешняя скорость записи: 1800 Мб/сек (в пределах)
Внешняя скорость считывания: 1800 Мб/сек /(в пределах)
Высота: 20 мм
Длина: 120 мм
Емкость: 2000 ГБ
Интерфейс: PCIe Gen 3.0 x4
Наработка на отказ: 1.6 млн. ч
Объем: 0.0004 м3
Рабочая температура: 0°C до 70°C
Скорость записи до: 220000 IOPS (участок 8 ГБ) (в пределах)
Скорость чтения до: 220000 IOPS (участок 8 ГБ) (в пределах)
Тип: внутренний
Тип NAND памяти: 3D QLC
Форм фактор: M.2 2280
Ширина: 160 мм
Энергопотребление (типичное) при записи: 0.1 Вт
Энергопотребление (типичное) при чтении: 0.1 Вт
Энергопотребление при простое: 0.04 Вт
Вес: 0.10 кг
ean: 5030000000000
exist: 1
avail: 1
warehouse1: 1
Страна-производитель товара: Китай
Страна регистрации бренда: Китай

Бренд: Intel
Аппаратное шифрование: Да AES 256 bit
Внешняя скорость записи: 1000 Мб/сек (в пределах)
Внешняя скорость считывания: 1500 Мб/сек /(в пределах)
Высота: 20 мм
Длина: 120 мм
Емкость: 512 ГБ
Интерфейс: PCIe Gen 3.0 x4
Наработка на отказ: 1.6 млн. ч
Объем: 0.0004 м3
Рабочая температура: 0°C до 70°C
Скорость записи до: 220000 IOPS (участок 8 ГБ) (в пределах)
Скорость чтения до: 90000 IOPS (участок 8 ГБ) (в пределах)
Тип: внутренний
Тип NAND памяти: 3D QLC
Форм фактор: M.2 2280
Ширина: 160 мм
Энергопотребление (типичное) при записи: 0.1 Вт
Энергопотребление (типичное) при чтении: 0.1 Вт
Энергопотребление при простое: 0.04 Вт
Вес: 0.11 кг
ean: 5030000000000
exist: 1
avail: 1
warehouse1: 1
Страна-производитель товара: Китай
Страна регистрации бренда: Китай

Внешняя скорость записи: 1925 Мб/сек
Бренд: Intel
Внешняя скорость считывания: 2000 Мб/с
Высота: 20 мм
Длина: 120 мм
Емкость: 1000 ГБ
Интерфейс: PCIe Gen 3.0 x4
Наработка на отказ: 1.6 млн. ч
Объем: 0.0004 м3
Скорость записи до: 250000 IOPS
Скорость чтения до: 160000 IOPS
Тип: внутренний
Форм фактор: M.2 2280
Ширина: 160 мм
Энергопотребление при простое: 0.1 Вт (активный режим)
Вес: 0.11 кг
ean: 5030000000000
Страна-производитель товара: Малайзія
Страна регистрации бренда: Малайзія

Производитель: INTEL
Модель: M.2 2280 512GB S3110
Артикул: SSDSCKKI512G801
Страна производства: США

Производитель: INTEL
Модель: M.2 2280 1TB
Артикул: SSDPEKNW010T8X1
Тип: внутренний
Объём памяти: 1 TB
Тип флеш-памяти: 3D QLC
Форм-фактор: M.2
Интерфейс: PCI-E 3.0 (x4)
Скорость чтения, макс.: 1500 Mb/s
Скорость записи, макс.: 1000 Mb/s
Наработка на отказ: 1.6 млн. часов
(Сборка) Потребляемая мощность: 6 Вт
Также ищут: SSD для ноутбука
Страна производства: США

Тип: внутренний
Емкость: 1000 ГБ
Интерфейс: PCIe Gen 3.0 x4
Тип NAND памяти: 3D QLC
Внешняя скорость записи: 1800 Мб/сек (в пределах)
Внешняя скорость считывания: 1800 Мб/сек /(в пределах)
Наработка на отказ: 1.6 млн. ч
Аппаратное шифрование: AES 256 bit
Тип: внутренний
Емкость: 1000 ГБ
Форм фактор: M.2 2280
Интерфейс: PCIe Gen 3.0 x4
Тип NAND памяти: 3D QLC
Внешняя скорость записи: 1800 Мб/сек (в пределах)
Внешняя скорость считывания: 1800 Мб/сек /(в пределах)
Наработка на отказ: 1.6 млн. ч
Энергопотребление при простое: 0.04 Вт
Энергопотребление (типичное) при чтении: 0.1 Вт
Энергопотребление (типичное) при записи: 0.1 Вт
Рабочая температура: 0°C до 70°C
Скорость чтения до: 150000 IOPS (участок 8 ГБ) (в пределах)
Скорость записи до: 220000 IOPS (участок 8 ГБ) (в пределах)
Аппаратное шифрование: AES 256 bit
Ширина: 160 мм
Высота: 20 мм
Длина: 120 мм
Вес: 0.11 кг
Объем: 0.0004 м3

Тип: внутренний
Емкость: 2000 ГБ
Интерфейс: PCIe Gen 3.0 x4
Тип NAND памяти: 3D QLC
Внешняя скорость записи: 1800 Мб/сек (в пределах)
Внешняя скорость считывания: 1800 Мб/сек /(в пределах)
Наработка на отказ: 1.6 млн. ч
Аппаратное шифрование: AES 256 bit
Тип: внутренний
Емкость: 2000 ГБ
Форм фактор: M.2 2280
Интерфейс: PCIe Gen 3.0 x4
Тип NAND памяти: 3D QLC
Внешняя скорость записи: 1800 Мб/сек (в пределах)
Внешняя скорость считывания: 1800 Мб/сек /(в пределах)
Наработка на отказ: 1.6 млн. ч
Энергопотребление при простое: 0.04 Вт
Энергопотребление (типичное) при чтении: 0.1 Вт
Энергопотребление (типичное) при записи: 0.1 Вт
Рабочая температура: 0°C до 70°C
Скорость чтения до: 220000 IOPS (участок 8 ГБ) (в пределах)
Скорость записи до: 220000 IOPS (участок 8 ГБ) (в пределах)
Аппаратное шифрование: AES 256 bit
Ширина: 160 мм
Высота: 20 мм
Длина: 120 мм
Вес: 0.10 кг
Объем: 0.0004 м3

Тип: внутренний
Емкость: 512 ГБ
Интерфейс: PCIe Gen 3.0 x4
Тип NAND памяти: 3D QLC
Внешняя скорость записи: 1000 Мб/сек (в пределах)
Внешняя скорость считывания: 1500 Мб/сек /(в пределах)
Наработка на отказ: 1.6 млн. ч
Аппаратное шифрование: AES 256 bit
Тип: внутренний
Емкость: 512 ГБ
Форм фактор: M.2 2280
Интерфейс: PCIe Gen 3.0 x4
Тип NAND памяти: 3D QLC
Внешняя скорость записи: 1000 Мб/сек (в пределах)
Внешняя скорость считывания: 1500 Мб/сек /(в пределах)
Наработка на отказ: 1.6 млн. ч
Энергопотребление при простое: 0.04 Вт
Энергопотребление (типичное) при чтении: 0.1 Вт
Энергопотребление (типичное) при записи: 0.1 Вт
Рабочая температура: 0°C до 70°C
Скорость чтения до: 90000 IOPS (участок 8 ГБ) (в пределах)
Скорость записи до: 220000 IOPS (участок 8 ГБ) (в пределах)
Аппаратное шифрование: AES 256 bit
Ширина: 160 мм
Высота: 20 мм
Длина: 120 мм
Вес: 0.11 кг
Объем: 0.0004 м3

Производитель: INTEL
Модель: M.2 2280 512GB
Артикул: SSDPEKKW512G801
Тип накопителя: внутренний
Серия: SSD 760p
Объем памяти: 512 GB
Форм-фактор: M.2
Интерфейс подключения: PCI Express 3.0 x4
Скорость чтения: 3230 Mb/s
Скорость записи: 1625 Mb/s
Наработка на отказ: 1.6 млн.часов
(Сборка) Потребляемая мощность: 6 Вт
Также ищут: SSD для ноутбука
Страна производства: США