SSD накопители Samsung с интерфейсом подключения M.2

Споживання енергії: немає даних
Швидкість запису: 5200 МБ/сек
Швидкість зчитування: 7000 МБ/сек
Контролер: немає даних
Форм-фактор: M.2
Інтерфейс: PCI Express 4.0 x4
Об'єм жорсткого диска: 2 ТБ
Габарити: 80.15 х 22.15 х 2.38 мм
IOPS (читання/запис): 1 000 000/850 000
Тип пам'яті: MLC
Час напрацювання на відмову: 1.5 млн годин

Производитель: Samsung
Модель: M.2 2280 500GB
Артикул: MZ-V8V500BW
Тип: внутренний
Серия: 980
Объём памяти: 500 GB
Тип флеш-памяти: 3bit MLC
Форм-фактор: M.2
Типоразмер М2: M.2 2280
Интерфейс: PCI-E 3.0 (x4)
Скорость чтения, макс.: 3100 Mb/s
Скорость записи, макс.: 2600 Mb/s
Наработка на отказ: 1.5 млн.часов
(Сборка) Потребляемая мощность: 6 Вт
Габариты: 80.15 x 22.15 x 2.38 мм
Вес: 8 г
Цвет: черный
Страна производства: Южная Корея

Производитель: Samsung
Модель: M.2 2280 2TB
Артикул: MZ-V8P2T0BW
Тип: внутренний
Серия: 980 PRO
Объём памяти: 2 TB
Тип флеш-памяти: V-NAND 3bit MLC
Форм-фактор: M.2
Интерфейс: PCI-E 4.0 (x4)
Скорость чтения, макс.: 7000 Mb/s
Скорость записи, макс.: 5000 Mb/s
Наработка на отказ: 1.5 млн.часов
Тип поставки: BOX
(Сборка) Потребляемая мощность: 6 Вт
Габариты: 80.15 x 22.15 x 2.38 мм
Вес: 9 г
Страна производства: Южная Корея

Об'єм накопичувача: 256 ГБ
Форм-фактор: M.2 2280
Інтерфейс: PCI Express 4.0 x4
Тип пам'яті: MLC
Швидкість зчитування: 6400 МБ/сек
Швидкість запису: 2700 МБ/сек
IOPS (читання/запис): немає даниих
Габарити: 80 х 22 х 2.38 мм
Час напрацювання на відмову: 1.5 млн годин
Підтримка NVMe: є
Об'єм пам'яті: 240 - 256 ГБ
Максимальна швидкість зчитування: 3501 МБ/с і більше
Максимальна швидкість запису: 2001 - 3000 МБ/с
Серія: MSI Spatium M460
Споживання енергії: до 7.4 Вт
Наявність підсвічування: немає
Ударостійкість: немає
Контролер: немає даних
TBW (ресурс записів): 150 TБ
Додаткові дані: Підтримка TRIM, S.M.A.R.T
Енергоспоживання: немає даних
Для ноутбуків: так
Для комп'ютерів: так
Ресурс записів: до 200 TБ

Объем: 4 ТБ
Скорость чтения: 7450
Скорость записи: 6900
Форм-фактор: M.2
Время наработки на отказ: 1.5 миллиона часов (MTBF)
Интерфейс подключения: PCI Express
Тип накопителя: Внутренний
Назначение: Для компьютера
Тип ячеек памяти: 3D NAND (MLC)

Производитель: Samsung
Модель: M.2 2280 256GB PM9B1
Артикул: MZVL4256HBJD-00B07
Тип накопителя: внутренний
Серия: PM9B1
Объем памяти: 256 GB
Тип флеш-памяти: V-NAND 3bit MLC
Форм-фактор: M.2
Типоразмер М2: M.2 2280
Интерфейс подключения: PCI Express 4.0 x4
Скорость чтения: 3330 Mb/s
Скорость записи: 1250 Mb/s
Тип поставки: OEM, без упаковки
(Сборка) Потребляемая мощность: 6 Вт
Габариты: 80 x 22 мм
Цвет: черный
Страна производства: Южная Корея

Производитель: Samsung
Модель: M.2 2242 256GB
Артикул: MZALQ256HBJD
Тип накопителя: внутренний
Объем памяти: 256 GB
Форм-фактор: M.2
Типоразмер М2: M.2 2242
Интерфейс подключения: PCI Express NVMe
(Сборка) Потребляемая мощность: 6 Вт
Толщина: 2.38 мм
Габариты: 42 х 22 х 2.38 мм
Вес: 59 г
Цвет: черный
Страна производства: Тайвань

Производитель: Samsung
Модель: M.2 2280 2TB
Артикул: MZ-V8P2T0CW
Тип накопителя: внутренний
Серия: 980 PRO
Объем памяти: 2 TB
Тип флеш-памяти: V-NAND 3bit MLC
Форм-фактор: M.2
Типоразмер М2: M.2 2280
Интерфейс подключения: PCI Express 4.0 x4
Скорость чтения: 7000 Mb/s
Скорость записи: 5100 Mb/s
Наработка на отказ: 1.5 млн.часов
Энергопотребление: 6.2 Вт
(Сборка) Потребляемая мощность: 6 Вт
Толщина: 9 мм
Габариты: 80 x 24 x 8.6 мм
Вес: 30.5 г
Цвет: черный
Страна производства: Южная Корея

Тип: внутренний
Артикул: MZ-V7S2T0BW
Габариты: 80.2 x 22.2 x 2.4 мм
Форм-фактор: M.2
Интерфейс: PCI-E 3.0 (x4)
Тип флеш-памяти: V-NAND 3bit MLC
Наработка на отказ: 1.5 млн.часов
Энергопотребление: 9 Вт
Серия: 970 EVO
Модель: M.2 2280 2TB
Страна производства: Южная Корея
Вес: 8 г
Объём памяти: 2 TB
Скорость чтения, макс.: 3500 Mb/s
Скорость записи, макс.: 3300 Mb/s
Гарантия, мес: 60

Производитель: Samsung
Модель: M.2 2280 1TB
Артикул: MZ-V8P1T0CW
Тип накопителя: внутренний
Серия: 980 PRO
Объем памяти: 1 TB
Тип флеш-памяти: V-NAND 3bit MLC
Форм-фактор: M.2
Типоразмер М2: M.2 2280
Интерфейс подключения: PCI Express 4.0 x4
Скорость чтения: 7000 Mb/s
Скорость записи: 5000 Mb/s
Наработка на отказ: 1.5 млн.часов
Энергопотребление: 6.2 Вт
(Сборка) Потребляемая мощность: 6 Вт
Толщина: 9 мм
Габариты: 80 x 24 x 8.6 мм
Вес: 30.5 г
Цвет: черный
Страна производства: Южная Корея

Объём: 250 ГБ
Тип: внутренний
Форм-фактор: M.2
Интерфейс: M.2 (PCI-E)
Пропускная способность: PCI-E (до 128 Гбит/с)
Ключ (для M.2): M
Тип флеш-памяти: 3D MLC
Контроллер: Samsung Elpis Controller
Особенности: DRAM-буфер, поддержка NVMe, с шифрованием
Степень защиты корпуса: нет
Скорость чтения: 6400 МБ/с
Скорость записи: 2700 МБ/с
Потребление энергии (в работе): 5 Вт
Комплектация: накопитель SSD, руководство пользователя
Габариты: 80.15 x 22.15 x 2.38 мм
Вес: 9 г

Объём: 500 ГБ
Тип: внутренний
Форм-фактор: M.2
Интерфейс: M.2 (PCI-E)
Пропускная способность: PCI-E (до 128 Гбит/с)
Ключ (для M.2): M
Тип флеш-памяти: 3D TLC
Контроллер: Samsung Phoenix Controller
Особенности: DRAM-буфер, поддержка NVMe, с шифрованием
Степень защиты корпуса: нет
Скорость чтения: 3500 МБ/с
Скорость записи: 3200 МБ/с
Макс. ресурс записи: 300 TBW
Потребление энергии (в работе): 6 Вт (макс.), 9 Вт (в режиме Burst)
Комплектация: накопитель SSD, руководство пользователя
Габариты: 80.15 x 22.15 x 2.38 мм
Вес: 8 г

Тип пам'яті: MLC
Форм-фактор: M.2 2280
Інтерфейс: PCI Express 4.0 x4
Об'єм жорсткого диска: 1 ТБ
Швидкість запису: 6900 МБ/сек
Швидкість зчитування: 7450 МБ/сек
Час напрацювання на відмову: 1.5 млн годин
Габарити: 80 х 22 х 2.3 мм

Объём: 500 ГБ
Тип: внутренний
Форм-фактор: M.2
Интерфейс: M.2 (PCI-E)
Пропускная способность: PCI-E (до 128 Гбит/с)
Ключ (для M.2): M
Тип флеш-памяти: 3D MLC
Контроллер: Samsung Elpis Controller
Особенности: DRAM-буфер, поддержка NVMe, с шифрованием
Степень защиты корпуса: нет
Скорость чтения: 6900 МБ/с
Скорость записи: 5000 МБ/с
Потребление энергии (в работе): 5,9 Вт
Комплектация: накопитель SSD, руководство пользователя
Габариты: 80,15 x 22,15 x 2,38 мм
Вес: 9 г

Объем: 250 ГБ
Скорость чтения: Скорость последовательного чтения: до 3500 МБ/с
Скорость записи: Скорость последовательной записи: до 2300 МБ/с
Энергопотребление: до 8 Вт
Формфактор: M.2
Время наработки на отказ: 1.5 миллиона часов (MTBF)
Устойчивость к ударным нагрузкам: 1500 G (на протяжении 0.5 мс)
Интерфейс: PCI Express 3.0 x4
Тип ячеек памяти: V-NAND (MLC)
Тип накопителя: Внутренний
Габариты (Ш х Г х В): 80.15 x 22.15 x 2.38 мм
Вес: 8 г
Страна регистрации бренда: Республика Корея (Южная Корея)

Тип: внутренний
Емкость: 250 ГБ
Интерфейс: PCIe Gen 3.0 x4 /NVMe 1.4
Тип NAND памяти: V-NAND 3-bit MLC
Внешняя скорость записи: 1300 Мб/сек
Внешняя скорость считывания: 2900 Мб/с
Наработка на отказ: 1.5 млн. ч /MTBF
Поддержка Trim: да
Аппаратное шифрование: AES 256-розрядне шифрування (клас 0), TCG / Opal, IEEE1667 (зашифрований диск)
Вес накопителя: 8 г
Тип: внутренний
Емкость: 250 ГБ
Форм фактор: M.2 2280
Интерфейс: PCIe Gen 3.0 x4 /NVMe 1.4
Контроллер: Samsung Pablo Controller
Тип NAND памяти: V-NAND 3-bit MLC
Внешняя скорость записи: 1300 Мб/сек
Внешняя скорость считывания: 2900 Мб/с
Ударостойкость при работе: 1500G/0.5мс /напівсинусоїда
Наработка на отказ: 1.5 млн. ч /MTBF
Рабочая температура: 0°C до 70°C
Рабочее напряжение: 3.3 В ± 5 %
Поддержка Trim: да
Аппаратное шифрование: AES 256-розрядне шифрування (клас 0), TCG / Opal, IEEE1667 (зашифрований диск)
Поддержка SMART: да
Поддержка режима сна: да
GC (сборка мусора): Алгоритм автоматичного збирання сміття
Вес накопителя: 8 г
Размеры без упаковки (ШхГхТ): 80.15 x 22.15 x 2.38 мм
Ширина: 100 мм
Высота: 20 мм
Длина: 140 мм
Вес: 0.09 кг
Объем: 0.0003 м3

Бренд: Samsung
Линейка: 990 EVO
Тип: SSD накопитель
Объем, ГБ: 2000
Интерфейс: M.2 (PCI-E 4.0 x4 / PCI-E 5.0 x2)
Тип флеш-памяти: V-NAND TLC
Контроллер: Samsung in-house Controller
Поддержка TRIM: есть
Серия: 990 EVO
Форм-фактор: M.2 2280
Размеры, мм: 80 x 22 x 2,38
Масса, г: 9
Максимальная скорость чтения, МБ/с: 5000
Максимальная скорость записи, МБ/с: 4200
Скорость случайного чтения блоками 4KB, IOPS: 700000
Скорость случайной записи блоками 4KB, IOPS: 800000
Ресурс записи (TBW), TB: 1200
Среднее время безотказной работы (MTBF), млн. часов: 1,5
Стойкость к ударам: 1500G / 0.5 мс

Объём: 250 ГБ
Тип: внутренний
Форм-фактор: M.2
Интерфейс: M.2 (PCI-E)
Пропускная способность: PCI-E (до 128 Гбит/с)
Ключ (для M.2): M
Тип флеш-памяти: MLC
Контроллер: Samsung Phoenix Controller
Особенности: DRAM-буфер, поддержка NVMe, с шифрованием
Степень защиты корпуса: нет
Скорость чтения: 3500 МБ/с
Скорость записи: 2300 МБ/с
Макс. ресурс записи: 150 TBW
Потребление энергии (в работе): 6 Вт (макс.), 9 Вт (в режиме Burst)
Комплектация: накопитель SSD, руководство пользователя
Габариты: 80.15 x 22.15 x 2.38 мм
Вес: 8 г

Тип пам'яті: MLC
Форм-фактор: M.2 2280
Інтерфейс: PCI Express 4.0 x4
Об'єм жорсткого диска: 2 ТБ
Швидкість запису: 6900 МБ/сек
Швидкість зчитування: 7450 МБ/сек
Час напрацювання на відмову: 1.5 млн годин
Габарити: 80 х 22 х 2.3 мм

Тип накопителя: Внутренний
Объем памяти: 500 ГБ
Тип памяти NAND: MLC
Особенности памяти: V-Nand
Скорость чтения, Мб/сек: 550
Скорость записи, Мб/сек: 520
Интерфейс: M.2 (SATA)
Форм-фактор: M.2 2280
Контроллер: Samsung MJX
Устойчивость к ударным нагрузкам: 1,500 G & 0,5 мс (полусинусоида)
Время наработки на отказ: 1.5 млн часов
Размеры, мм: 80.15x22.15x2.38
Вес, г: 8

Об'єм жорсткого диска: 128 ГБ
Форм-фактор: M.2
Інтерфейс: PCI Express 3.0 x4
Швидкість зчитування: 540 МБ/сек
Швидкість запису: 520 МБ/сек
Тип пам'яті: TLC
Контролер: немає даних
Час напрацювання на відмову: 1500000
Споживання енергії: немає даних
Габарити: 80 х 22 х 3.58 мм

Тип накопителя: Внутренний
Объем памяти: 250 ГБ
Тип памяти NAND: MLC
Особенности памяти: V-Nand
Скорость чтения, Мб/сек: 550
Скорость записи, Мб/сек: 520
Интерфейс: M.2 (SATA)
Форм-фактор: M.2 2280
Контроллер: Samsung MJX
Устойчивость к ударным нагрузкам: 1,500 G & 0,5 мс (полусинусоида)
Время наработки на отказ: 1.5 млн часов
Размеры, мм: 80.15x22.15x2.38
Вес, г: 8

Тип накопителя: Внутренний
Объем памяти: 250 ГБ
Тип памяти NAND: TLC
Особенности памяти: V-Nand
Скорость чтения, Мб/сек: 3500
Скорость записи, Мб/сек: 3200
Интерфейс: M.2 (PCI-E)
Форм-фактор: M.2 2280
Контроллер: Samsung Phoenix
Устойчивость к ударным нагрузкам: 1500 G в течение 0.5 мс (полусинус)
Время наработки на отказ: 1.5 млн. часов
Размеры, мм: 80.15 x 22.15 x 2.38
Вес, г: 8

Объем: 128 ГБ
Интерфейс: М.2
Форм-фактор: М.2
Скорость чтения/записи: 2150МБ/с/1500МБ/с

Объем: 512 ГБ
Интерфейс: М.2
Форм-фактор: М.2
Скорость чтения/записи: 2150МБ/с/1500МБ/с

Объем: 256 ГБ
Интерфейс: М.2
Форм-фактор:2.5"
Скорость чтения/записи: 400МБ/с/260МБ/с

Объем: 512 ГБ
Интерфейс: М.2
Форм-фактор:2.5"
Скорость чтения/записи: 400МБ/с/260МБ/с

Производитель: Samsung
Модель: M.2 2280 512GB
Артикул: MZ-V6E500BW
Назначение: для компьютера
Назначение: для сервера
Форм-фактор: M.2
Объём памяти: 512 GB
Интерфейс: PCI-E 3.0 (x4)
Скорость чтения, макс.: 3200 Mb/s
Скорость записи, макс.: 1800Mb/s
Наработка на отказ: 1.5 млн.часов
Серия: 960 EVO
Страна производства: Южная Корея

Производитель: Samsung
Модель: M.2 2280 512GB
Артикул: MZ-V6P512BW
Назначение: для компьютера
Назначение: для сервера
Форм-фактор: M.2
Объём памяти: 512 GB
Интерфейс: PCI-E 3.0 (x4)
Скорость чтения, макс.: 3500 Mb/s
Скорость записи, макс.: 2100Mb/s
Тип флеш-памяти: VNAND
Наработка на отказ: 1.5 млн.часов
Страна производства: Южная Корея

Производитель: Samsung
Модель: M.2 2280 1TB
Артикул: MZ-N5E1T0BW
Назначение: для компьютера
Назначение: для ноутбука
Объём памяти: 1 TB
Форм-фактор: M.2
Интерфейс: SATA 6Gb/s
Скорость чтения, макс.: 540Mb/s (SATA 6 Gb/s)
Скорость записи, макс.: 520Mb/s (SATA 6 Gb/s)
Тип флеш-памяти: VNAND
Наработка на отказ: 1.5 млн.часов
Энергопотребление: рабочее: 2.7 Вт, ожидание: 0.6 Вт
Серия: 850 EVO
Страна производства: Южная Корея