SSD накопители Samsung MLC MLC

Споживання енергії: немає даних
Швидкість запису: 5200 МБ/сек
Швидкість зчитування: 7000 МБ/сек
Контролер: немає даних
Форм-фактор: M.2
Інтерфейс: PCI Express 4.0 x4
Об'єм жорсткого диска: 2 ТБ
Габарити: 80.15 х 22.15 х 2.38 мм
IOPS (читання/запис): 1 000 000/850 000
Тип пам'яті: MLC
Час напрацювання на відмову: 1.5 млн годин

Производитель: Samsung
Модель: M.2 2280 2TB
Артикул: MZ-V8P2T0BW
Тип: внутренний
Серия: 980 PRO
Объём памяти: 2 TB
Тип флеш-памяти: V-NAND 3bit MLC
Форм-фактор: M.2
Интерфейс: PCI-E 4.0 (x4)
Скорость чтения, макс.: 7000 Mb/s
Скорость записи, макс.: 5000 Mb/s
Наработка на отказ: 1.5 млн.часов
Тип поставки: BOX
(Сборка) Потребляемая мощность: 6 Вт
Габариты: 80.15 x 22.15 x 2.38 мм
Вес: 9 г
Страна производства: Южная Корея

Производитель: Samsung
Модель: 2.5" 4TB 870 EVO
Артикул: MZ-77E4T0BW
Тип: внутренний
Серия: 870 EVO
Объём памяти: 4 TB
Тип флеш-памяти: V-NAND 3bit MLC
Форм-фактор: 2.5"
Интерфейс: SATA 6Gb/s
Скорость чтения, макс.: 560 Mb/s
Скорость записи, макс.: 530 Mb/s
Наработка на отказ: 1.5 млн.часов
(Сборка) Потребляемая мощность: 6 Вт
Габариты: 100 x 69.85 x 6.8 мм
Вес: 45 г
Цвет: черный
Страна производства: Южная Корея

Производитель: Samsung
Модель: 2.5" 4TB
Артикул: MZ-77Q4T0BW
Тип: внутренний
Серия: 870 QVO
Объём памяти: 4 TB
Тип флеш-памяти: V-NAND 4bit MLC
Форм-фактор: 2.5"
Интерфейс: SATA 6Gb/s
Скорость чтения, макс.: 560 Mb/s
Скорость записи, макс.: 530 Mb/s
Наработка на отказ: 1.5 млн.часов
Тип поставки: BOX
Габариты: 100 x 69.85 x 6.8 мм
(Сборка) Потребляемая мощность: 6 Вт
Вес: 46 г
Страна производства: Южная Корея

Производитель: Samsung
Модель: U.2 2.5" 15.36TB PM9A3
Артикул: MZQL215THBLA-00A07
Тип накопителя: внутренний
Серия: PM9A3
Объем памяти: 15.36 TB
Тип флеш-памяти: V-NAND 3bit MLC
Форм-фактор: 2.5"
Типоразмер М2: -
Интерфейс подключения: PCI Express 4.0 x4
Скорость чтения: 5200 Mb/s
Скорость записи: 4000 Mb/s
TBW: 28032
Тип поставки: OEM, без упаковки
(Сборка) Потребляемая мощность: 6 Вт
Толщина: 7 мм
Габариты: 100.2 x 69.85 x 7 мм
Цвет: черный
Страна производства: Южная Корея

Тип: внутренний
Емкость: 500 ГБ
Интерфейс: SATA 3
Тип NAND памяти: V-nand
Наработка на отказ: 1.5 млн. ч
Поддержка Trim: да
Аппаратное шифрование: да
Вес накопителя: 45 г
Тип: внутренний
Емкость: 500 ГБ
Форм фактор: 2.5"
Интерфейс: SATA 3
Контроллер: Samsung MGX
Тип NAND памяти: V-nand
Наработка на отказ: 1.5 млн. ч
Температура хранения: -40°C до 85°C
Рабочая температура: 0°C до 70°C
Поддержка Trim: да
Аппаратное шифрование: да
Поддержка SMART: да
GC (сборка мусора): да
Вес накопителя: 45 г
Размеры без упаковки (ШхГхТ): 100 x 69.85 x 6.8 мм
Ширина: 140 мм
Высота: 100 мм
Длина: 20 мм
Вес: 0.09 кг
Объем: 0.0003 м3

Об'єм накопичувача: 256 ГБ
Форм-фактор: M.2 2280
Інтерфейс: PCI Express 4.0 x4
Тип пам'яті: MLC
Швидкість зчитування: 6400 МБ/сек
Швидкість запису: 2700 МБ/сек
IOPS (читання/запис): немає даниих
Габарити: 80 х 22 х 2.38 мм
Час напрацювання на відмову: 1.5 млн годин
Підтримка NVMe: є
Об'єм пам'яті: 240 - 256 ГБ
Максимальна швидкість зчитування: 3501 МБ/с і більше
Максимальна швидкість запису: 2001 - 3000 МБ/с
Серія: MSI Spatium M460
Споживання енергії: до 7.4 Вт
Наявність підсвічування: немає
Ударостійкість: немає
Контролер: немає даних
TBW (ресурс записів): 150 TБ
Додаткові дані: Підтримка TRIM, S.M.A.R.T
Енергоспоживання: немає даних
Для ноутбуків: так
Для комп'ютерів: так
Ресурс записів: до 200 TБ

Производитель: Samsung
Модель: M.2 2280 256GB PM9B1
Артикул: MZVL4256HBJD-00B07
Тип накопителя: внутренний
Серия: PM9B1
Объем памяти: 256 GB
Тип флеш-памяти: V-NAND 3bit MLC
Форм-фактор: M.2
Типоразмер М2: M.2 2280
Интерфейс подключения: PCI Express 4.0 x4
Скорость чтения: 3330 Mb/s
Скорость записи: 1250 Mb/s
Тип поставки: OEM, без упаковки
(Сборка) Потребляемая мощность: 6 Вт
Габариты: 80 x 22 мм
Цвет: черный
Страна производства: Южная Корея

Объем жесткого диска: 500 ГБ
Интерфейс: SATAIII
Форм-фактор: 2.5"
Тип памяти: MLC
Потребление энергии: до 4 Вт
Скорость записи: 300 МБ/сек
Скорость чтения: 560 МБ/сек
Контроллер: Samsung MKX
Время наработки на отказ: 1.5 млн часов
Габариты: 100 х 69.85 x 6.8 мм

Производитель: Samsung
Модель: M.2 2280 2TB
Артикул: MZ-V8P2T0CW
Тип накопителя: внутренний
Серия: 980 PRO
Объем памяти: 2 TB
Тип флеш-памяти: V-NAND 3bit MLC
Форм-фактор: M.2
Типоразмер М2: M.2 2280
Интерфейс подключения: PCI Express 4.0 x4
Скорость чтения: 7000 Mb/s
Скорость записи: 5100 Mb/s
Наработка на отказ: 1.5 млн.часов
Энергопотребление: 6.2 Вт
(Сборка) Потребляемая мощность: 6 Вт
Толщина: 9 мм
Габариты: 80 x 24 x 8.6 мм
Вес: 30.5 г
Цвет: черный
Страна производства: Южная Корея

Объем жесткого диска: 250 ГБ
Интерфейс: SATAIII
Форм-фактор: 2.5"
Тип памяти: MLC
Потребление энергии: до 4 Вт
Скорость записи: 530 МБ/сек
Скорость считывания: 560 МБ/сек
Контроллер: Samsung MKX
Время выработки на отказ: 1.5 млн часов
Габариты: 100 х 69.85 x 6.8 мм

Тип: внутренний
Артикул: MZ-V7S2T0BW
Габариты: 80.2 x 22.2 x 2.4 мм
Форм-фактор: M.2
Интерфейс: PCI-E 3.0 (x4)
Тип флеш-памяти: V-NAND 3bit MLC
Наработка на отказ: 1.5 млн.часов
Энергопотребление: 9 Вт
Серия: 970 EVO
Модель: M.2 2280 2TB
Страна производства: Южная Корея
Вес: 8 г
Объём памяти: 2 TB
Скорость чтения, макс.: 3500 Mb/s
Скорость записи, макс.: 3300 Mb/s
Гарантия, мес: 60

Производитель: Samsung
Модель: M.2 2280 1TB
Артикул: MZ-V8P1T0CW
Тип накопителя: внутренний
Серия: 980 PRO
Объем памяти: 1 TB
Тип флеш-памяти: V-NAND 3bit MLC
Форм-фактор: M.2
Типоразмер М2: M.2 2280
Интерфейс подключения: PCI Express 4.0 x4
Скорость чтения: 7000 Mb/s
Скорость записи: 5000 Mb/s
Наработка на отказ: 1.5 млн.часов
Энергопотребление: 6.2 Вт
(Сборка) Потребляемая мощность: 6 Вт
Толщина: 9 мм
Габариты: 80 x 24 x 8.6 мм
Вес: 30.5 г
Цвет: черный
Страна производства: Южная Корея

Производитель: Samsung
Модель: M.2 2280 512GB PM9A1
Артикул: MZVL2512HCJQ-00B00
Тип накопителя: внутренний
Серия: PM9A1
Объем памяти: 512 GB
Тип флеш-памяти: MLC
Форм-фактор: M.2
Типоразмер М2: M.2 2280
Интерфейс подключения: PCI Express 4.0 x4
Скорость чтения: 6900 Mb/s
Скорость записи: 5000 Mb/s
Наработка на отказ: 1.5 млн.часов
Тип поставки: OEM
(Сборка) Потребляемая мощность: 6 Вт
Габариты: 80.15 x 22.15 x 2.38 мм
Вес: 10 г
Цвет: зеленый
Страна производства: США

Объём: 250 ГБ
Тип: внутренний
Форм-фактор: M.2
Интерфейс: M.2 (PCI-E)
Пропускная способность: PCI-E (до 128 Гбит/с)
Ключ (для M.2): M
Тип флеш-памяти: 3D MLC
Контроллер: Samsung Elpis Controller
Особенности: DRAM-буфер, поддержка NVMe, с шифрованием
Степень защиты корпуса: нет
Скорость чтения: 6400 МБ/с
Скорость записи: 2700 МБ/с
Потребление энергии (в работе): 5 Вт
Комплектация: накопитель SSD, руководство пользователя
Габариты: 80.15 x 22.15 x 2.38 мм
Вес: 9 г

Об'єм жорсткого диска: 1 ТБ
Інтерфейс: SATAIII
Форм-фактор: 2.5"
Тип пам'яті: MLC
Споживання енергії: до 4 Вт
Швидкість запису: 530 МБ/сек
Швидкість зчитування: 560 МБ/сек
Контролер: Samsung MKX
Час напрацювання на відмову: 1.5 млн годин
Габарити: 100 х 69.85 x 6.8 мм

Тип: внутренний
Емкость: 1000 ГБ
Интерфейс: SATA 3
Тип NAND памяти: V-nand
Наработка на отказ: 1.5 млн. ч
Поддержка Trim: да
Аппаратное шифрование: да
Вес накопителя: 45 г
Тип: внутренний
Емкость: 1000 ГБ
Форм фактор: 2.5"
Интерфейс: SATA 3
Контроллер: Samsung MGX
Тип NAND памяти: V-nand
Наработка на отказ: 1.5 млн. ч
Температура хранения: -40°C до 85°C
Рабочая температура: 0°C до 70°C
Поддержка Trim: да
Аппаратное шифрование: да
Поддержка SMART: да
GC (сборка мусора): да
Вес накопителя: 45 г
Размеры без упаковки (ШхГхТ): 100 x 69.85 x 6.8 мм
Ширина: 100 мм
Высота: 20 мм
Длина: 140 мм
Вес: 0.09 кг
Объем: 0.0003 м3

Производитель: Samsung
Модель: 2.5" 2TB 870 EVO
Артикул: MZ-77E2T0BW
Тип: внутренний
Серия: 870 EVO
Объём памяти: 2 TB
Тип флеш-памяти: V-NAND 3bit MLC
Форм-фактор: 2.5"
Интерфейс: SATA 6Gb/s
Скорость чтения, макс.: 560 Mb/s
Скорость записи, макс.: 530 Mb/s
Наработка на отказ: 1.5 млн.часов
Габариты: 100 x 69.85 x 6.8 мм
(Сборка) Потребляемая мощность: 6 Вт
Вес: 45 г
Цвет: черный
Страна производства: Южная Корея

Объем жесткого диска: 500 ГБ
Интерфейс: SATAIII
Форм-фактор: 2.5"
Тип памяти: MLC
Потребление энергии: до 4 Вт
Скорость записи: 300 МБ/сек
Скорость чтения: 560 МБ/сек
Контроллер: Samsung MKX
Время наработки на отказ: 1.5 млн часов
Габариты: 100 х 69.85 x 6.8 мм

Производитель: Samsung
Модель: M.2 2280 1TB PM9A1
Артикул: MZVL21T0HCLR-00B00
Тип накопителя: внутренний
Серия: PM9A1
Объем памяти: 1 TB
Тип флеш-памяти: MLC
Форм-фактор: M.2
Типоразмер М2: M.2 2280
Интерфейс подключения: PCI Express 4.0 x4
Скорость чтения: 7000 Mb/s
Скорость записи: 5100 Mb/s
Наработка на отказ: 1.5 млн.часов
Тип поставки: OEM
(Сборка) Потребляемая мощность: 6 Вт
Также ищут: SSD для ноутбука
Также ищут: быстрые
Также ищут: игровые
Также ищут: лучшие
Габариты: 80.15 x 22.15 x 2.38 мм
Вес: 10 г
Цвет: зеленый
Страна производства: США

Производитель: Samsung
Модель: 2.5" 1TB
Артикул: MZ-77Q1T0BW
Тип: внутренний
Серия: 870 QVO
Объём памяти: 1 TB
Тип флеш-памяти: V-NAND 4bit MLC
Форм-фактор: 2.5"
Интерфейс: SATA ІІІ 6Gb/s
Скорость чтения, макс.: 560 Mb/s
Скорость записи, макс.: 530 Mb/s
Наработка на отказ: 1.5 млн.часов
Тип поставки: BOX
Габариты: 100 x 69.85 x 6.8 мм
(Сборка) Потребляемая мощность: 6 Вт
Вес: 46 г
Страна производства: Южная Корея

Бренд: Samsung
Линейка: 980
Тип: SSD накопитель
Объем, ГБ: 1000
Интерфейс: M.2 (PCI-E 3.0)
Тип флеш-памяти: V-NAND 3-bit MLC
Контроллер: Samsung Pablo
Поддержка TRIM: есть
Серия: 980
Форм-фактор: M.2 2280
Размеры, мм: 80,15x22,15x2,38
Масса, г: 8
Максимальная скорость чтения, МБ/с: 3500
Максимальная скорость записи, МБ/с: 3000
Скорость случайного чтения блоками 4KB, IOPS: 500000
Скорость случайной записи блоками 4KB, IOPS: 480000
Ресурс записи (TBW), TB: 600
Среднее время безотказной работы (MTBF), млн. часов: 1,5
Стойкость к ударам: 1500G/0,5 мс
Для сервера: нет
Разное: AES 256-битное шифрование

Тип пам'яті: MLC
Форм-фактор: M.2 2280
Інтерфейс: PCI Express 4.0 x4
Об'єм жорсткого диска: 1 ТБ
Швидкість запису: 6900 МБ/сек
Швидкість зчитування: 7450 МБ/сек
Час напрацювання на відмову: 1.5 млн годин
Габарити: 80 х 22 х 2.3 мм

Объём: 500 ГБ
Тип: внутренний
Форм-фактор: M.2
Интерфейс: M.2 (PCI-E)
Пропускная способность: PCI-E (до 128 Гбит/с)
Ключ (для M.2): M
Тип флеш-памяти: 3D MLC
Контроллер: Samsung Elpis Controller
Особенности: DRAM-буфер, поддержка NVMe, с шифрованием
Степень защиты корпуса: нет
Скорость чтения: 6900 МБ/с
Скорость записи: 5000 МБ/с
Потребление энергии (в работе): 5,9 Вт
Комплектация: накопитель SSD, руководство пользователя
Габариты: 80,15 x 22,15 x 2,38 мм
Вес: 9 г

Объем: 250 ГБ
Скорость чтения: Скорость последовательного чтения: до 3500 МБ/с
Скорость записи: Скорость последовательной записи: до 2300 МБ/с
Энергопотребление: до 8 Вт
Формфактор: M.2
Время наработки на отказ: 1.5 миллиона часов (MTBF)
Устойчивость к ударным нагрузкам: 1500 G (на протяжении 0.5 мс)
Интерфейс: PCI Express 3.0 x4
Тип ячеек памяти: V-NAND (MLC)
Тип накопителя: Внутренний
Габариты (Ш х Г х В): 80.15 x 22.15 x 2.38 мм
Вес: 8 г
Страна регистрации бренда: Республика Корея (Южная Корея)

Тип: внутренний
Емкость: 250 ГБ
Интерфейс: SATA 3
Тип NAND памяти: V-nand
Наработка на отказ: 1.5 млн. ч
Поддержка Trim: да
Аппаратное шифрование: да
Вес накопителя: 45 г
Тип: внутренний
Емкость: 250 ГБ
Форм фактор: 2.5"
Интерфейс: SATA 3
Контроллер: Samsung MGX
Тип NAND памяти: V-nand
Наработка на отказ: 1.5 млн. ч
Температура хранения: -40°C до 85°C
Рабочая температура: 0°C до 70°C
Поддержка Trim: да
Аппаратное шифрование: да
Поддержка SMART: да
GC (сборка мусора): да
Вес накопителя: 45 г
Размеры без упаковки (ШхГхТ): 100 x 69.85 x 6.8 мм
Ширина: 150 мм
Высота: 20 мм
Длина: 100 мм
Вес: 0.09 кг
Объем: 0.0003 м3

Тип: внутренний
Емкость: 250 ГБ
Интерфейс: PCIe Gen 3.0 x4 /NVMe 1.4
Тип NAND памяти: V-NAND 3-bit MLC
Внешняя скорость записи: 1300 Мб/сек
Внешняя скорость считывания: 2900 Мб/с
Наработка на отказ: 1.5 млн. ч /MTBF
Поддержка Trim: да
Аппаратное шифрование: AES 256-розрядне шифрування (клас 0), TCG / Opal, IEEE1667 (зашифрований диск)
Вес накопителя: 8 г
Тип: внутренний
Емкость: 250 ГБ
Форм фактор: M.2 2280
Интерфейс: PCIe Gen 3.0 x4 /NVMe 1.4
Контроллер: Samsung Pablo Controller
Тип NAND памяти: V-NAND 3-bit MLC
Внешняя скорость записи: 1300 Мб/сек
Внешняя скорость считывания: 2900 Мб/с
Ударостойкость при работе: 1500G/0.5мс /напівсинусоїда
Наработка на отказ: 1.5 млн. ч /MTBF
Рабочая температура: 0°C до 70°C
Рабочее напряжение: 3.3 В ± 5 %
Поддержка Trim: да
Аппаратное шифрование: AES 256-розрядне шифрування (клас 0), TCG / Opal, IEEE1667 (зашифрований диск)
Поддержка SMART: да
Поддержка режима сна: да
GC (сборка мусора): Алгоритм автоматичного збирання сміття
Вес накопителя: 8 г
Размеры без упаковки (ШхГхТ): 80.15 x 22.15 x 2.38 мм
Ширина: 100 мм
Высота: 20 мм
Длина: 140 мм
Вес: 0.09 кг
Объем: 0.0003 м3

Объем жесткого диска: 1 ТБ
Интерфейс: PCI Express 4.0 x4
Форм-фактор: M.2 2280
Потребление энергии: 8.9 Вт
Скорость записи: 5000 МБ/сек
Скорость чтения: 6900 МБ/сек
IOPS (чтение/запись): 22 000/60 000
Тип памяти: MLC
Время наработки на отказ: 1.5 млн часов
Габариты: 80.15 х 22.15 х 2.38 мм

Производитель: Samsung
Модель: 2.5" 4TB 870 EVO
Артикул: MZ-77E4T0B/EU
Тип накопителя: внутренний
Серия: 870 EVO
Объем памяти: 4 TB
Тип флеш-памяти: V-NAND 3bit MLC
Форм-фактор: 2.5"
Типоразмер М2: -
Интерфейс подключения: SATA III (6Gb/s)
Скорость чтения: 560 Mb/s
Скорость записи: 530 Mb/s
Наработка на отказ: 1.5 млн.часов
TBW: 2400
(Сборка) Потребляемая мощность: 6 Вт
Габариты: 100 х 69.85 х 6.8 мм
Вес: 45 г
Цвет: черный
Страна производства: Южная Корея

Тип: внутренний
Емкость: 1000 ГБ
Форм фактор: M.2 2280
Интерфейс: PCIe 3.0 x4, NVMe 1.3
Контроллер: Samsung Phoenix
Тип NAND памяти: V-nand /3-bit MLC
Внешняя скорость записи: 3300 Мб/сек *Продуктивність може відрізнятися залежно від апаратного забезпечення та конфігурації системи
Внешняя скорость считывания: 3500 Мб/сек /*Продуктивність може відрізнятися залежно від апаратного забезпечення та конфігурації системи
Ударостойкость при работе: 1500G/0.5мс
Наработка на отказ: 1.5 млн. ч
Рабочая температура: 0°C до 70°C
Скорость чтения до: 19000 IOPS Випадкове зчитування (4KB, QD 1) * Це значення може залежати від апаратної конфігурації системи
Скорость записи до: 60000 IOPS ипадковий запис (4KB, QD 1) * Це значення може залежати від апаратної конфігурації системи
Рабочее напряжение: 3.3 В температура
Поддержка Trim: да
Аппаратное шифрование: 256-розрядне
Поддержка SMART: да
Поддержка режима сна: да
GC (сборка мусора): да
Ширина: 140 мм
Высота: 20 мм
Длина: 100 мм
Вес: 0.10 кг
Объем: 0.0003 м³